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西門子快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學(xué)穩(wěn)定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄片，且具有圓孔狹頸結(jié)構(gòu)。發(fā)生短路故障時，狹頸處電流密度大，故狹頸處首先熔斷，并被石英砂分隔成許多小段。這樣，由于熔體熔斷而形成的電弧就被石英砂分隔成許多小段，電弧電流較小，分布的空間小，易被消弧劑吸收。又由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后立即形成一個絕緣體，將電路分?jǐn)唷？焖偃蹟嗥魇且环N西門子快速熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體...

可關(guān)斷晶閘管廠家靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管廠家克服了上述缺陷，可關(guān)斷晶閘管廠家既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，又具有自關(guān)斷能力，因而在使用上比普通晶閘管方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過電力晶體管(GTR)，只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到...

整流二極管模塊是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護(hù)電路，使用起來方便,不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間，也大大增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向--模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)，設(shè)計能力，工藝和測...

ST英飛凌IGBT驅(qū)動功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致ST英飛凌IGBT驅(qū)動和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。ST英飛凌IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動igbt模塊以能讓其正常工作，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實際使用中除ST英飛凌IGBT驅(qū)動自身外，ST英飛凌IGBT驅(qū)動的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。因此，在...

PM300CLA120三菱IPM模塊功率器件的一些特性：PM300CLA120三菱IPM模塊（InligentPowerModule）不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一起，。而且還內(nèi)藏有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到CPU。它由高速低工耗的管芯和優(yōu)化的門級驅(qū)動電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，也可以IPM自身不受損壞。PM300CLA120三菱IPM模塊一般使用IGBT作為功率開關(guān)元件，并內(nèi)藏電流傳感器及驅(qū)動電路的集成結(jié)構(gòu)，以其高...

由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用...

可控硅模塊分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有*陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓...

北京英飛凌IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。北京英飛凌IGBT模塊適合應(yīng)用于直流電壓為60...

整流二極管模塊是一種交流電源為直流功率半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體整流二極管的制造可作為鍺或硅材料。整流二極管的主要功能是低頻半波整流電路，如需實現(xiàn)全波整流橋整流橋連接使用。它通常包含一個與陽極和陰極兩端的一個。載體區(qū)域的磷孔，氮的面積是電子的載體。NP加地區(qū)相對面積的正當(dāng)電壓大電流、低電壓（通常為0.7V），稱為正向?qū)顟B(tài)。如果相反的是反向電壓，小電流（反向漏電流），稱為反向阻塞狀態(tài)。整流二極管具有明顯的單向?qū)щ娦?。整流二極管模塊是利用單向?qū)щ娞匦缘墓夂?，將交流變?yōu)橹绷骷y波。整流二...

西門子快速熔斷器廣泛適用于交流會30/400/690/1000V及其以下,額定工作電流為0.5-12的電氣線路中,作為導(dǎo)線和設(shè)備的故障保護(hù)。西門子快速熔斷器的應(yīng)用領(lǐng)域不斷開拓與擴(kuò)大，已從住宅建筑-電氣安裝，延伸到高層建筑、工業(yè)、供電行業(yè)(EVU)以及設(shè)備制造、開關(guān)設(shè)備與工業(yè)控制系統(tǒng)。西門子快速熔斷器擔(dān)負(fù)的主要任務(wù)是為電線電纜作過載與短路保護(hù)，不論短路電流值有多高，它都能切斷。其次，也適宜用作設(shè)備和電器的保護(hù)。西門子快速熔斷器能擔(dān)負(fù)的任務(wù)與使用條件有:·為避免出現(xiàn)不必要的運(yùn)行事...

整機(jī)產(chǎn)量巨大是造成消費(fèi)電子用IGBT需求量位于五大應(yīng)用領(lǐng)域*的主要原因，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、計算機(jī)、汽車電子領(lǐng)域中，消費(fèi)電子產(chǎn)品對于IGBT的需求量zui大。憑借著較高的單價，工業(yè)控制用IGBT在銷售量低于消費(fèi)電子的情況下銷售額實現(xiàn)反超IGBT是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，IGBT開發(fā)之初主要應(yīng)用在電...

伴隨科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和低碳經(jīng)濟(jì)的要求，逆變器在各行各業(yè)中應(yīng)用飛速發(fā)展，而北京英飛凌IGBT模塊,是目前逆變器中使用的主流開關(guān)器件，也在逆變結(jié)構(gòu)中起核心作用。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率，改善用電質(zhì)量。新型IGBT逆變技術(shù)是推動我國低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的突破口，同時緩解能源，資源和環(huán)境等方面的壓力，加快轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)增長方式，促進(jìn)信息化帶動工業(yè)化，提高國家經(jīng)濟(jì)安全性，起著重要作用，因此，北京英飛凌IGBT模塊,在逆變器中的正確選擇與使用，有著舉足輕重的作用。逆變技術(shù)對IGBT...

IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成，不同的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk北京英飛凌IGBT模塊。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飛凌IGBT模塊后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左...

由于北京英飛凌IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓...

北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。接下來小編將以英飛凌IGBT模塊為例，為大家簡單介紹一下關(guān)于北京英飛凌IGBT模塊選型、保存以及使用的相關(guān)信息！1、北京英飛凌IGBT模塊的選型要點(diǎn)：英飛凌模塊選型的電壓規(guī)格...

北京英飛凌IGBT模塊是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。功率從五千瓦到幾百千瓦的應(yīng)用場合。IGBT器件將不斷開拓新的應(yīng)用領(lǐng)域，為節(jié)能、為新能源、工業(yè)自動化(高頻電焊機(jī),高頻超聲波,逆變器,斬波器,UPS/EPS,感應(yīng)加熱)提供了新的...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。CM200DU-24H三菱IGBT模塊非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電...

1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μ*的漏電流流過，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能...

北京英飛凌IGBT模塊判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。北京英飛凌IGBT模塊判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接三菱IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指...

可控硅元件的主要弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也可能導(dǎo)致可控硅的損壞，所以必須對它采用適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。1.過電流保護(hù)可控硅出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護(hù)有以下三種：*種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當(dāng)，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在可控硅損壞前先溶斷，從而保護(hù)了晶閘管。第二種是過電流繼電器：當(dāng)電流超過過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器就會動作，切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動作到切斷電路需要一定時間，所...